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Si5475BDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
V GS = 5 thr u 2 V
25 °C, unless otherwise noted
10
16
12
8
1.5 V
8
6
4
T C = 125 °C
4
2
25 °C
0
1 V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.12
0.10
0.0 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2100
1 8 00
1500
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.06
0.04
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
900
600
0.02
V GS = 4.5 V
300
C rss
C oss
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
7
I D = 7.7 A
1.5
I D = 7.7 A
1.4
6
1.3
V GS = 4.5, 2.5, 1. 8 V
5
4
3
V DS = 6 V
V DS = 8 .4 V
1.2
1.1
1.0
0.9
2
0. 8
1
0
0.7
0.6
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73381
S-83054-Rev. D, 29-Dec-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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